Ringamp基本原理

一言以蔽之,ringamp是动态调整极点位置的动态放大器。

ring是什么

图1 ringamp原型

稍微细说。ringamp是一个三级ring oscillator结构。如图1,RST将三个inverters的转态点(trip-point)置为Vcmx,通过MDAC中的feedback形成ring oscillator,输入信号VIN持续在trip-point附近振荡。不考虑oscillator属性,这种结构有很多优点,非常适合作为scalability amplifier的解决方案:

  1. cascade得到高开环增益;
  2. 产生rail-to-rail swing,slewing效率高;
  3. layout紧凑;
  4. class-ab工作特征,dynamic的power consumption
  5. 易于兼容数字cmos……

oscillator < — > amplifier

图2 ring oscillator稳定的本质

如图2,三级inverter有3个poles,p1、p2是internal pole,由device形成;而p3是output pole,由loading形成。传统(老)工艺下,p1、p2及p3的数量级相当(挨得近),phase margin(PM)为负,因此系统不稳定。传统上,没有太多的稳定性办法,其中常用方法是Miller补偿,让p1或p2成为主极点,产生正PM,但这样会增加loading,让系统变慢,是一种static的稳定手段;而在nanoscale工艺下,device的寄生减小,而loading几乎不变,因此internal pole (p1、p2 )远大于p3,考虑从p3入手对系统进行稳定十分有意义。这就是ring oscillator到ring amplifier转变的本质,即dynamic改变p3的位置,将它推向低频,产生正PM。dynamic解释,刚开始charging阶段,3个pole挨得很近,负PM,系统不稳定,但bandwidth很宽,允许非常快的settling。随着feedback深入,p3被推向更低频,产生正PM,系统稳定,允许高精度的settling。注意,由于这是大信号过程,仅看ac的PM判断稳定性不够,还要看系统在dc和transient下的表现。

ringamp工作原理

图3 ring amplifier以及基本的switch capacitor feedback

图3是一个实用例子(MDAC for ADC),也是最初ringamp被提出来的基本应用结构。ringamp工作过程及各节点的transient波形如图4所示。ringamp工作分为三个阶段:

图4 ringamp工作过程中各节点的transient波形
  • initial slewing phase。VIN很大,通过inverter得到rail-to-rail的swings,输出管pmos/nmos两者选一,以最大的overdrive voltage被打开(不是都打开);
  • stabilization phase。dynamic feedback将ring oscillator强拉进入stable状态。即,input signal通过第1级inverter被放大,信号被电容C2/C3上的offset(dead-zone voltage)平移,也就是信号共模被shift(trip point一直没变),输出pmos/nmos的gate将看到不同的信号,平均overdrive voltage减小,经过feedback,signal的peaks降低、收敛并最终稳定。简言之,ringamp的feedback机制如下:
    1. 输出transistors上的avg. overdrive降低;导致,
    2. 输出电流降低;导致,
    3. oscillation的幅度降低;经feedback,导致,
    4. 输入是信号降低
    5. back to 1
  • Steady State。上面1-4过程周而复始,signal幅度越来越小,最终稳定。

以上就是ringamp的基本工作原理,虽然在先进工艺下,ringamp的一些细节稍有差异,但基本原理类似,细节之处还请移步IEEE papers。

参考文献

[1] Ring amplifiers for switched-capacitor circuits

B. Hershberg, S. Weaver, K. Sobue, S. Takeuchi, K. Hamashita, and U. Moon. In Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), 2012 IEEE International, Feb, 2012.

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