最近在设计bootstrap开关，发现有很多可靠性问题需要考虑，但有些是“假”的，有些则需特别注意。

第一个问题，是V_gb超压，即gate和bulk之间的电压大于core电压，而且不止发生在switch，在bootstrap内部也存在，看起来会有可靠性问题，但我们通常认为它是“假”的。虽然fab官方不会给出明确答复，但我们可以做如下分析：输入信号v_in被bootstrap到v_dd+v_in加在gate上作为switch的控制电压，在bootstrap时候，source/drain电压大小为v_in，gate电压大小为v_dd+v_in, bulk为0V，栅氧下方处于强反型，沟道电位为v_in，gate oxide承受（v_dd+v_in）-v_in=v_dd（未超压），沟道到衬底的耗尽层承受v_in电压，所以switch不会有问题，因此我们认为这是一个“假”超压，之所以加个引号，是因为这是有前提的，即v_in不能大于v_dd，而实际上v_in是v_in+v_cm，可能会超过v_dd引起可靠性问题，需要检查和分析，一般遇到这种情况，把bootstrap switch的bulk在bootstrap时接到最高电位，reset时接到gnd即可。

第二个问题，V_db超压，说的是drain端和bulk之间的电压超过core电压。这发生在hold模式，reset时有一个nmos会下拉到地，它确实有可靠性的问题，需要引起我们重视，做好防超压的保护措施。一种方法是，比如使用DNW管让bulk接到source，同时外加pmos钳位，可避免该问题。

上面文字只是简单做个记录，具体细节不做过多解释。